镍基体上银和铜膜的择优取向及其价电子分析

目的研究在Ni（100）基体上沉积Ag和Cu膜的择优取向的形成机理。方法采用X-射线衍射进行分析,根据固体与分子经验电子理论（EET）的键距差（BLD）方法,计算Ni（100）晶面、Ag和Cu的33个晶面的平均电子密度及相对电子密度差。结果X-射线衍射分析结果表明,在Ni（100）基体上沉积Ag和Cu膜的主要择优取向为（111）,其次依次为（100）和（110）。计算结果表明,2个晶面的电子密度差越小,相应的择优取向越强。结论从界面处电子密度的连续原理成功地分析了在基体上沉积薄膜的择优取向的产生机理。     

铝在硅中的固溶度

本工作通过对过去测定铝在硅中的固溶度的部分文章和数据较详细的分析,采用液相外延方法在温度区域700℃到1000℃之间,测得固溶度界于4×10~(18)～1.5×10~(19)atoms/cm~3,计算出相应的分凝系数,推得硅熔点1415℃的分凝系数为1.8×10~(-3),微分溶解热0.6eV。     

熔凝玻璃钝化的研究和应用

本文介绍了以电泳涂敷法制成的较薄玻璃膜为介质膜的金属—玻璃—半导体(MGs)结构的C—V特性测量,介绍了离子探针(IMA)测量玻璃膜的性质以及运用计算机进行曲线拟合。结果表明,Zn系玻璃膜的负电荷密度和其热成型过程的气氛和温度处理有关。Na~+离子主要聚集在玻璃膜内靠表面一侧,其随深度分布趋势接近指数函数。作者研制了内层玻璃钝化高压PN结器件,测量得到了良好的电特性。     

反应烧结碳化硅的显微组织

对不同生坯进行硅化处理后得到的反应烧结碳化硅的显微组织进行了研究。结果表明：选用α－ＳｉＣ＋Ｃ粉的混合物作为生坯，ＳｉＣ相的体积分数随生坯中ｗＣ的增加而增加，但过大的ＷＣ将使硅化后的试样出现残碳；选用碳毡作为毛坯，反应烧结碳化硅的显微组织特点是Ｃ／ＳｉＣ反应生成的碳化硅颗粒均匀细小，并呈线状分布在游离硅中，浸渍过树脂的碳毡硅化处理后的显微组织特点是反应生成的碳化硅颗粒粗大呈不均匀分布。Ｘ射线衍射结     

等温淬火高硅铸钢的显微组织和机械性能

为开发一种新型高硅耐磨铸钢 ,采用扫描电子显微镜研究了不同等温温度下高硅铸钢的显微组织 ,对不同等温温度下高硅铸钢的抗拉强度、冲击韧性和硬度进行了系统研究。结果表明 ,高硅铸钢经等温淬火热处理后 ,在较大的温度范围 (2 4 0～ 4 0 0℃ )内都可以得到单一的由贝氏体铁素体和富碳的残余奥氏体交替排列的奥贝双相组织 (Ausferrite) ,组织中没有碳化物析出。在 2 80～ 3 60℃范围内等温 ,可以获得强度、韧性、硬度配合良好的双相组织。高硅铸钢具有优异的综合机械性能 ,同时具有良好的冷作硬化能力     

12—硅钼酸降解产物SiMo11铵盐的合成

在对SiMo_(12)杂多酸降解过程的研究中,首次从H_4SiMo_(12)O_(40)直接降解合成出其降解产物(NH_4)_8[SiMo_(11)O_(39)]·14H_2O。经组成分析,确认其为SiMo_(11)铵盐。利用紫外光谱分析、红外光谱分析、x射线粉末衍射、电位滴定、tga—dta热分析、薄板层析等现代分析手段对合成产物的性质进行了研究。     

非晶硅太阳电池中缓变P-I异质结的光、热稳定性的研究

本文通过测量CP—I和GB—I异质结光照前、后以及在不同温度下的I—V和C—V特性,研究了光诱导和热诱导缺陷态对两种结的光稳定性和热稳定性的影响。结果表明,GBP—I结改进了P—I结的界面特性,但都明显地受到强光和高温的影响,使结特性退化。     

碳化硼微粉中微量硅的测定研究

本文依照硅钼蓝法原理,以抗坏血酸为还原酸,柠檬酸调节酸度还原硅钼黄,探讨碳化硼微粉中微量硅含量的测定方法,考察研究操作中各步骤的最佳工艺及其对硅含量分析精确度的影响。结果表明：本方法分析精度高且重现性好,适合于碳化硼微粉中微量硅（质量分数：0.01%～5%）的测定。